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Samsung, nuova generazione di V-NAND per i futuri SSD
Hardware, HDD SSD

Samsung, nuova generazione di V-NAND per i futuri SSD 

I nuovi V-NAND samsung più veloci del 40% rispetto alla precedente generazione

Samsung ha annunciato ufficialmente l’inizio della produzione di massa di una nuova generazione di memorie V-NAND, che verrà utilizzata per equipaggiare l’SSD del futuro.

Naturalmente, la società coreana sostiene di avere tra le mani il chip di memoria V-NAND con la più alta velocità di trasferimento dati attualmente disponibile.

Questo è il primo caso di implementazione della nuova interfaccia “Toggle DDR 4.0” che dovrebbe consentire una velocità di trasferimento dati sulla nuova memoria V-NAND 256Gb alla velocità di 1,4 Gbps, con un incremento rispetto alla generazione precedente, quantificata in un significativo 40%.

L’efficienza energetica della nuova memoria V-NAND è rimasta praticamente invariata.

Il merito è della tensione richiesta che è stata abbassata, passando da 1,8 V a 1,2 V.

La nuova memoria V-NAND si caratterizza anche per la velocità di scrittura, con un miglioramento di circa il 30% rispetto alla precedente generazione e una risposta ai segnali della lettura ridotti a circa 50 microsecondi.

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